Per quello che sono le caratteristiche dinamiche dei Mosfet (soprattutto "grazie" alle loro mostruose, NON lineari capacità interelettrodiche) se tutto quello che hanno da offrire è il fatto di essere "mosfet"... bhe possono starsene tranquillamente a casa loro.
I vecchi mosfet Hitachi avevano anche pure loro difetti ma erano decisamente più "audio" degli IRF (e dei MOS verticali in genere), comportandosi in modo effettivamente diverso (e per certi aspetti, se ben pilotati, effettivamente migliore) dei bipolari.
Ciao Piercarlo... con tutti i sassi che ti sei tolto dalle scarpe ci apriamo un frantoio
Stai trattando argomenti interessanti e un poco spinosi... vista la tua indubbia preparazione che ne diresti di ampliare il discorso includendo anche IGBT?
Tiziano
Originariamente inviato da mrttg - 08/02/2007 : 13:00:58
Purtroppo su questi "così" non posso dire granché. Anch'essi sono nati essenzialmente come commutatori di potenza, non come componenti audio. Commutatori lenti ma potenti (ci fanno andare le motrici dei treni, non so se mi spiego...).
In campo audio ho visto giusto quello che hanno visto gli altri, cioè i tipi proposto da Toshiba una decina di anni fa, qualche casa che l'ha adottato, qualche progetto su qualche rivista (Elektor e Nuova Elettronica) e poi... nebbia. Per quel che mi riguarda mi manca qualsiasi tipo di dato sulla caistica di guasto (sopratutto su un certo tipo di guasto dovuto a eccessiva corrente che tramuta questo tipo di dispositivi in inopportuni tiristori, che è poi il loro vero "incubo") e il loro comportamento in temperatura che però, a giudicare dai datasheet della Toshiba, richiede le stesse precauzioni e compensazioni in uso con i bipolari.
In effetti, quando funzionano in regione lineare, gli IGBT sono bipolari pilotati da un mosfet (in un circuito simile allo Sziklay che è anche il suo tallone d'Achille in quanto, nel gioco di giunzioni che lo compongono fisicamente, è inclusa una struttura a tre giunzioni NPNP che può trasformarsi in un tiristore innescato da temperature e corrente eccessive di funzionamento e anche da sovratensioni). I tempi di commutazione sono quelli tipici dei bipolari ma lo sono anche la tenuta in potenza e la bassa tensione di saturazione (che è praticamente costante e indipedente dalla corrente: la saturazione ovviamente è comunque più alta di quella di un bipolare puro): ciò che invece è tipico dei mosfet è, naturalmente, la bassissima potenza di pilotaggio (che, sotto l'aspetto dinamico, si comporta addirittura meglio dei mosfet puri; ciò si spiega con il fatto che dopotutto il mosfet deve solo portare la *corrente di base* richiesta dal bipolare che costituisce il "vero" transistor di potenza, anziché l'intera corrente di uscita del dispositivo)
Guardando le caratteristiche sui datasheet degli IGBT l'impressione che me ne viene è che, una volta tutelatesi per benino ( ma *molto* per benino) dal suo "vizietto latente" (essere cioè, in buon sostanza, un tiristore "rieducato" a fare il transistore lineare) lo vedo, negli stadi finali, come un sostituto decisamente migliore dei bipolari di quanto possano esserlo i mosfet: 1) sono più facilmente pilotabili; 2) sono molto meno propensi ad autoscillare; 3) sono anche, a pelle, decisamente più lineari dei mosfet.
Li userei? No, e mi spiego. A parte il pericolo "risveglio del tiristore", il vero limite degli IGBT è che essi, come componenti audio, sono ormai arrivati fuori tempo massimo: pagando lo scotto di uno stadio in più per pilotarli, i moderni transistori finali del tipo 2SC1381 e 2SA1302, offrono prestazioni decisamente migliori e per i cui problemi (stabilità termica e breakdown secondario) esiste ormai un'esperienza consolidata da decenni. Se poi si va a dire che gli IGBT potrebbero essere adatti a sostenere amplificatori di alta potenza per uso professionale... bhe anche qui sono ormai strafuori tempo massimo.
Tutto imho naturalmente.
Ciao
Piercarlo