implementare un CCS

[Alessandro Sirigu]

Buona serata a tutti. Avrei bisogno di un aiuto riguardo l'implementazione di un ccs in un amplificatore differenziale composto dai due triodi di un 6sn7.
Partendo dallo schema iniziale proposto da M.Jones, che vede l'utilizzo di due transistor in cascode e considerando che il riferimento negativo di tensione (-110V), nel mio caso, è stabilizzato ho pensato di sostituire, nel ramo di riferimento, lo zener da 6V2 con una resistenza ( 4k2 nel disegno basso) e ridurre la corrente nel ramo di riferimento (originariamente prevista in 5mA) a 1,5mA.
Considerando che la corrente da controllare sui catodi dei triodi è in totale 15mA la resistenza di emettitore è approssimativamente pari a 400 Ohm, il che genera una resistenza in AC del ccs pari a circa 2,5MOhm.

Ora, supponendo di modificare le tensioni del ramo di riferimento come nel disegno alto ( e mantenendo indentiche le correnti), si può arrivare a dimensionare la resistenza di emettitore per un valore molto più alto dei 400 Ohm del caso precedente, passando a oltre 5KOhm che, unitamente alla possibilità di impiego del transistor alto con un tipo a beta maggiore e VCE max minore ( data la minor caduta di tensione VCE rispetto al caso precedente) si arriverebbe ad avere una r out (AC) del dispositivo di circa 100 MOhm.
Secondo voi l'idea sta in piedi o sto sbagliando tutto?
Grazie per le risposte!

[Giaime]

Benvenuto!

Come calcoli l'impedenza d'uscita del CCS? A che frequenza? Tieni conto che le sole capacità parassite (penso anche alla banale capacità catodo-filamento dei tubi, tanto per non andare tanto lontano) 2 o 100MOhm sono distinzioni inutili... 1pF a 20kHz sono 4Mohm, e 1pF è davvero poco...

Puoi sicuramente aumentare la resistenza di emettitore del BJT basso del cascode, uno dei requisiti è semplicemente che la sua caduta sia sufficientemente più alta di una Vbe così da dare un'efficiente retroazione in corrente: il modo più semplice per aumentare quella resistenza è inserire in serie all'1N4148 (si può anche eliminare quest'ultimo) un appropriato zener della tensione desiderata, ovvero pari alla caduta desiderata sulla resistenza di emettitore più una Vbe.

Probabilmente però alla luce del 1pF = 4Meg dovresti ripensare alla effettiva necessità di aumentare l'impedenza d'uscita del CCS...

[Alessandro Sirigu]

Grazie!
Ho calcolato con RE * Hfe (T.alto) *Hfe (Tbasso)+1/hoe (T.alto)

Per quanto riguarda l'alta capacità del transistor alto ( che nella raffigurazione è un mje 340) pensavo che utilizzando al suo posto un altro BC549 ( che ha una Ft ben maggiore, 300Mhz, e CBc 3,5pF, contro i 10Mhz del 340)) questo ridurrebbe non di poco il problema.
Delle due soluzioni, se funziona, mi sembra più efficace la prima, anche in funzione del problema della capacità.
Il diodo l'ho lasciato in modo tale da generare una compensazione termica per il transistor basso, per una migliore stabilità della VBE in funzione della temperatura.
Lo zener lo ho eliminato in quanto come acennavo prima il rail negativo è stabilizzato e, se non sto sbagliando ragionamento, sarebbe inutile.

Secondo te c'è una soluzione più efficace?