Nelson Pass Aleph
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1-Per l'induttanza doppia non so se si può, comunque le due correnti devono generare un flusso contrapposto per non saturare il nucleo, quindi metterei un ramo su V+ e uno su V- col "pallino" dal lato rettificatore per entrambi (il senso della corrente è inverso per i due rami)
Io cmq starei sulle induttanze singole.
2-Ossido metallico vanno bene
3- Sul mio se non ricordo male c'è 100-200mV di ripple e non sento nulla sugli altoparlanti.
PS con capacità così grosse usa un soft start (Pass usa una NTC da 10 Ohm sul primario del trafo)
Ciao
Andrea
Io cmq starei sulle induttanze singole.
2-Ossido metallico vanno bene
3- Sul mio se non ricordo male c'è 100-200mV di ripple e non sento nulla sugli altoparlanti.
PS con capacità così grosse usa un soft start (Pass usa una NTC da 10 Ohm sul primario del trafo)
Ciao
Andrea
- Dragone
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è arrivato il momento di saldare !!!!
manca ancora il trasfo di alimentazione... ma tanto prima che finisco faccio in tempo a farmelo fare......
Questione selezione dei transistor come si fà? in rete mi pare che c'è qualche cosa ma già capisco poco di inglese, visto che c'è gente che lo ha fatto mi può spiegare come si fà??????
Saluti, Stefano
manca ancora il trasfo di alimentazione... ma tanto prima che finisco faccio in tempo a farmelo fare......
Questione selezione dei transistor come si fà? in rete mi pare che c'è qualche cosa ma già capisco poco di inglese, visto che c'è gente che lo ha fatto mi può spiegare come si fà??????
Saluti, Stefano
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Pass stesso lo spiega chiaramente qui: http://www.passdiy.com/howto/matching.htm
In sostanza colleghi drain e gate e li colleghi a +V tramite una resistenza di opportuno valore, mettendo il source a massa.
Se la resistenza è abbastanza alta la corrente è all'incirca costante.
Misurando le varie Vgs (idealmente con temperatura controllata, quindi non spezzare le misurazioni tra vari giorni) scegli i Mos con le Vgs più prossime e li usi assieme.
Vanno selezionati tra loro solo quelli che vanno in parallelo.
Idealmente dovresti fare il matching a correnti prossime a quelle di lavoro ma per farlo devi tenere in considerazione il fattore temperatura, in quanto dissipano una potenza non trascurabile.
Comunque verifica il lavoro una volta in opera misurando le tensioni sulle resistenze di source: se non ci sono grosse differenze sei a posto.
Ciao
Andrea
In sostanza colleghi drain e gate e li colleghi a +V tramite una resistenza di opportuno valore, mettendo il source a massa.
Se la resistenza è abbastanza alta la corrente è all'incirca costante.
Misurando le varie Vgs (idealmente con temperatura controllata, quindi non spezzare le misurazioni tra vari giorni) scegli i Mos con le Vgs più prossime e li usi assieme.
Vanno selezionati tra loro solo quelli che vanno in parallelo.
Idealmente dovresti fare il matching a correnti prossime a quelle di lavoro ma per farlo devi tenere in considerazione il fattore temperatura, in quanto dissipano una potenza non trascurabile.
Comunque verifica il lavoro una volta in opera misurando le tensioni sulle resistenze di source: se non ci sono grosse differenze sei a posto.
Ciao
Andrea
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Per i caps va bene la quantità (senza esagerare per non crearsi poi problemi coi disturbi generati dagli spike di corrente che vanno a caricare tali mostri), ma non va dimenticata la qualità.
Il mio primo Aleph 30 si è trasformato quando, nel modificarlo per inserire l'ingresso bilanciato (che è un must per sfruttarlo al meglio) ho cambiato i caps usando dei BC components parallelati con un Sikorel da 4700uF
Ciao
Andrea
Il mio primo Aleph 30 si è trasformato quando, nel modificarlo per inserire l'ingresso bilanciato (che è un must per sfruttarlo al meglio) ho cambiato i caps usando dei BC components parallelati con un Sikorel da 4700uF
Ciao
Andrea
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pensa se ci mettevi solo i sikorel.
Il SOZ in area contributi lo avete visto?
Saluti
R.R.
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Atomo e vuoto sono in noi
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Riccardo
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Sempre con i miei tempi mooooolto lunghi, ieri ho selezionato i mosfet, ma mi è venuto un dubbio, gli irf9610 presenti sul segnale sono dei p-channel ma io li ho selezionati come N per cui con il drain collegato alla v+ assieme al gain, in questo modo leggo una tensione inferiore ai 2v e il tester mi permette una risoluzione di 0,001v altrimenti con i canonici ~4.3v otterrei una risoluzione di 0,01v, li ho lasciati attaccati circa 15 minuti prima di effettuare la lettura ma mi chiedo se come metodo di misura va bene...............
Altro dubbio, alcuni usano mettere un interruttore che collega il segnale negativo dell' ingresso bilanciato a massa... quando si usa l' ingreso bilanciato altri non lo mettono, che faccio???? lo metto o no?
Saluti, Stefano
Altro dubbio, alcuni usano mettere un interruttore che collega il segnale negativo dell' ingresso bilanciato a massa... quando si usa l' ingreso bilanciato altri non lo mettono, che faccio???? lo metto o no?
Saluti, Stefano
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Io cercherei di usarlo l'ingresso bilanciato. La differenza si sente, eccome.Altro dubbio, alcuni usano mettere un interruttore che collega il segnale negativo dell' ingresso bilanciato a massa... quando si usa l' ingreso bilanciato altri non lo mettono, che faccio???? lo metto o no?
Nei miei modelli cmq ho messo uno switch per portare il polo freddo a massa in caso di uso "sbilanciato"
Ciao
Andrea
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Ciao Stefano,Sempre con i miei tempi mooooolto lunghi, ieri ho selezionato i mosfet, ma mi è venuto un dubbio, gli irf9610 presenti sul segnale sono dei p-channel ma io li ho selezionati come N per cui con il drain collegato alla v+ assieme al gain, in questo modo leggo una tensione inferiore ai 2v e il tester mi permette una risoluzione di 0,001v altrimenti con i canonici ~4.3v otterrei una risoluzione di 0,01v, li ho lasciati attaccati circa 15 minuti prima di effettuare la lettura ma mi chiedo se come metodo di misura va bene...............
Originally posted by Dragone - 26/11/2007 : 09:55:49
quando parli di "gain" ti riferisci al gate, vero?
Comunque no, non puoi farli andare così. Probabilmente hai acceso il diodo intrinseco drain-source. Invece per i P channel dovresti mettere a massa il drain, e collegare l'alimentazione positiva al source: a quel punto selezioni i mosfet regolando la tensione gate-source di modo che tenendo costante la corrente di drain, tu legga una simile tensione gate-source. Oppure viceversa, fissi una tensione gate-source (in zona di saturazione però, dove Vgs < Vt, dove Vt la trovi nel datasheet e va da 2 a 4V a seconda dell'esemplare) e selezioni i mosfet con una corrente di drain simile.
Sei sicuro dell'IRF9610? E' un mosfet striminzito da 1A, perchè non IRF640-IRF9640? Mi pare che all'inizio si parlasse di IRFP240, tutt'altra bestia (che tra l'altro puoi trovare presso Distrelec, ad esempio).
Ciao!
Giaime Ugliano
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si intendevo gate, ho sbagliato a scrivere
I mosfet in questione sono appunto all' ingresso, e infatti volevo selezionarli appunto come dice Giaime, solo che alcune discussioni sparse per il web mi hanno tratto in inganno.............................................
A questo punto non sò però se la risoluzione del tester pari appunto a 0,01v sia sufficiente , gente parla di selezioni al mv (quindi con multimetri abbastanza costosi) ma non trovo quanto sia la tolleranza "giusta" da tenere
Saluti, Stefano
I mosfet in questione sono appunto all' ingresso, e infatti volevo selezionarli appunto come dice Giaime, solo che alcune discussioni sparse per il web mi hanno tratto in inganno.............................................
A questo punto non sò però se la risoluzione del tester pari appunto a 0,01v sia sufficiente , gente parla di selezioni al mv (quindi con multimetri abbastanza costosi) ma non trovo quanto sia la tolleranza "giusta" da tenere
Saluti, Stefano
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Ciao!
Il problema è che lo stadio d'ingresso è un differenziale: e questo richiederebbe una selezione per Vt e kW/L (in pratica la gm ad una fissata corrente di drain) molto stringente, così come si fa nei differenziali a transistor bipolari (salvo che lì la dispersione dei parametri non è così vasta, sui bipolari di piccolo segnale: questi sono mosfet di potenza, NON SONO PENSATI per essere un minimo simili tra di loro...).
Non riesco a trovare un senso nella scelta di usare questi dispositivi come amplificatore differenziale, evidentemente c'è una qualche questione di gusto soggettivo sotto l'aumento di distorsione prodotto dal differenziale asimmetrico.
Tenuto conto di questo, credo che la tua selezione a 10mV di tolleranza sia più che sufficiente, sempre se riesci a beccare due mosfet di potenza con Vt simile entro 10mV...
Ciao!
Giaime Ugliano
ah perfetto allora, anzi scusami tu per non aver guardato con più attenzione il progetto.I mosfet in questione sono appunto all' ingresso
Originally posted by Dragone - 27/11/2007 : 14:12:49
Guarda, se il datasheet dichiara Vt tra -2 e -4V, credo ti servirebbero migliaia di dispositivi per selezionarne alcuni con Vt uguale a tolleranza di 1mV.A questo punto non sò però se la risoluzione del tester pari appunto a 0,01v sia sufficiente , gente parla di selezioni al mv (quindi con multimetri abbastanza costosi) ma non trovo quanto sia la tolleranza "giusta" da tenere
Originally posted by Dragone - 27/11/2007 : 14:12:49
Il problema è che lo stadio d'ingresso è un differenziale: e questo richiederebbe una selezione per Vt e kW/L (in pratica la gm ad una fissata corrente di drain) molto stringente, così come si fa nei differenziali a transistor bipolari (salvo che lì la dispersione dei parametri non è così vasta, sui bipolari di piccolo segnale: questi sono mosfet di potenza, NON SONO PENSATI per essere un minimo simili tra di loro...).
Non riesco a trovare un senso nella scelta di usare questi dispositivi come amplificatore differenziale, evidentemente c'è una qualche questione di gusto soggettivo sotto l'aumento di distorsione prodotto dal differenziale asimmetrico.
Tenuto conto di questo, credo che la tua selezione a 10mV di tolleranza sia più che sufficiente, sempre se riesci a beccare due mosfet di potenza con Vt simile entro 10mV...
Ciao!
Giaime Ugliano
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